Справочник MOSFET. TK10S04K3L

 

TK10S04K3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK10S04K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK10S04K3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10S04K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk10s04k3l.pdf pdf_icon

TK10S04K3L

TK10S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK10S04K3LTK10S04K3LTK10S04K3LTK10S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 22 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:

Другие MOSFET... TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , RU7088R , TK10X40D , TK11A45D , TK11A50D , TK11A55D , TK11A60D , TK11A65D , TK12A10K3 , TK12A45D .

History: AP30T10GH-HF | CHM4600JGP | 2SK1455 | 2SK1402A | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.