TK10S04K3L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK10S04K3L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TK10S04K3L
TK10S04K3L Datasheet (PDF)
tk10s04k3l.pdf
TK10S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK10S04K3LTK10S04K3LTK10S04K3LTK10S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 22 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:
Другие MOSFET... TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D , IRFZ48N , TK10X40D , TK11A45D , TK11A50D , TK11A55D , TK11A60D , TK11A65D , TK12A10K3 , TK12A45D .
History: TK10X40D
History: TK10X40D
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614


