TK10S04K3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK10S04K3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK10S04K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK10S04K3L даташит

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk10s04k3l.pdf pdf_icon

TK10S04K3L

TK10S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK10S04K3L TK10S04K3L TK10S04K3L TK10S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 22 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Другие IGBT... TJ70A06J3, TJ80S04M3L, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D, TK10A60D, IRFZ48N, TK10X40D, TK11A45D, TK11A50D, TK11A55D, TK11A60D, TK11A65D, TK12A10K3, TK12A45D