Справочник MOSFET. TK12A60D

 

TK12A60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK12A60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK12A60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12A60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  toshiba
tk12a60d.pdfpdf_icon

TK12A60D

TK12A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12A60D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.45 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mod

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
tk12a60d.pdfpdf_icon

TK12A60D

isc N-Channel MOSFET Transistor TK12A60DFEATURESWith TO-220F packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA

 7.1. Size:241K  toshiba
tk12a60w.pdfpdf_icon

TK12A60D

TK12A60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12A60WTK12A60WTK12A60WTK12A60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E

 7.2. Size:179K  toshiba
tk12a60u.pdfpdf_icon

TK12A60D

TK12A60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK12A60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance : Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

Другие MOSFET... TK11A55D , TK11A60D , TK11A65D , TK12A10K3 , TK12A45D , TK12A50D , TK12A53D , TK12A55D , AO3407 , TK12A60U , TK12A65D , TK12E60U , TK12J55D , TK12J60U , TK12X53D , TK12X60U , TK130F06K3 .

History: IXFH15N80Q | SWMN7N65K | H7N0602LS | ELM34416AA | P0765ATF | ZXM62P02E6 | HUFA76639S3ST

 

 
Back to Top

 


 
.