TK12A65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK12A65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK12A65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12A65D даташит

 ..1. Size:263K  toshiba
 tk12a65d.pdf pdf_icon

TK12A65D

TK12A65D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK12A65D TK12A65D TK12A65D TK12A65D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.46 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 6.0 S (typ.) (3) Low leakage current ID

 8.1. Size:241K  toshiba
 tk12a60w.pdf pdf_icon

TK12A65D

TK12A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK12A60W TK12A60W TK12A60W TK12A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) E

 8.2. Size:179K  toshiba
 tk12a60u.pdf pdf_icon

TK12A65D

TK12A60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS ) TK12A60U Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

 8.3. Size:185K  toshiba
 tk12a60d.pdf pdf_icon

TK12A65D

TK12A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK12A60D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.45 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mod

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK11A65D, TK12A10K3, TK12A45D, TK12A50D, TK12A53D, TK12A55D, TK12A60D, TK12A60U, IRFP064N, TK12E60U, TK12J55D, TK12J60U, TK12X53D, TK12X60U, TK130F06K3, TK13A25D, TK13A45D