TK12J55D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK12J55D
Маркировка: K12J55D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 550 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Выходная емкость (Cd): 165 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.57 Ohm
Тип корпуса: SC65 TO3P
TK12J55D Datasheet (PDF)
tk12j55d.pdf
TK12J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12J55D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.48 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VD
tk12j60w.pdf
TK12J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK12J60WTK12J60WTK12J60WTK12J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) E
tk12j60u.pdf
TK12J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.36 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
