TK13A65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK13A65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.47 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK13A65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13A65D даташит

 ..1. Size:226K  toshiba
 tk13a65d.pdf pdf_icon

TK13A65D

TK13A65D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK13A65D TK13A65D TK13A65D TK13A65D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.4 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 7.5 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
 tk13a65d.pdf pdf_icon

TK13A65D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK13A65D ITK13A65D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) = 0.4 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

 7.1. Size:213K  toshiba
 tk13a65u.pdf pdf_icon

TK13A65D

TK13A65U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK13A65U Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.32 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement-mod

 7.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk13a65u.pdf pdf_icon

TK13A65D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK13A65U ITK13A65U FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.32 (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement mode Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK12X60U, TK130F06K3, TK13A25D, TK13A45D, TK13A50DA, TK13A50D, TK13A55DA, TK13A60D, IRF640, TK13A65U, TK13E25D, TK13J65U, TK13P25D, TK14A45DA, TK14A45D, TK14A55D, TK150F04K3