TK16A55D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK16A55D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK16A55D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16A55D даташит

 ..1. Size:235K  toshiba
 tk16a55d.pdf pdf_icon

TK16A55D

TK16A55D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK16A55D TK16A55D TK16A55D TK16A55D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.28 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 9.0 S (typ.) (3) Low leakage current ID

 9.1. Size:243K  toshiba
 tk16a60w5.pdf pdf_icon

TK16A55D

TK16A60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16A60W5 TK16A60W5 TK16A60W5 TK16A60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by using Super Junction Struc

 9.2. Size:240K  toshiba
 tk16a60w.pdf pdf_icon

TK16A55D

TK16A60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16A60W TK16A60W TK16A60W TK16A60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 9.3. Size:253K  inchange semiconductor
 tk16a60w5.pdf pdf_icon

TK16A55D

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16A60W5,ITK16A60W5 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) Easy to control Gate switching Enhancement mode Vth = 3.0 to 4.5 V (VDS = 10 V, ID=0.79 mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK15A50D, TK15A60D, TK15A60U, TK15E60U, TK15J50D, TK15J60U, TK15X60U, TK16A45D, IRF9540, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D