TK17A65U. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK17A65U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
Тип корпуса: TO220SIS
Аналог (замена) для TK17A65U
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK17A65U даташит
tk17a65u.pdf
TK17A65U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17A65U TK17A65U TK17A65U TK17A65U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.20 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 12.0 S (typ.) (3) Low leakage current ID
tk17a65u.pdf
INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK17A65U ITK17A65U FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.20 (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement mode Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION S
tk17a65w5.pdf
TK17A65W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17A65W5 TK17A65W5 TK17A65W5 TK17A65W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.19 (typ.) by used to Super Junction Str
tk17a65w.pdf
TK17A65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17A65W TK17A65W TK17A65W TK17A65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.17 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En
Другие IGBT... TK15A60U, TK15E60U, TK15J50D, TK15J60U, TK15X60U, TK16A45D, TK16A55D, TK16J55D, 2SK3878, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A, TK1Q90A
History: STP13NK60ZFP | CEF12N5 | AP9466GM
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent



