TK20J50D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TK20J50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
Аналог (замена) для TK20J50D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TK20J50D даташит
tk20j50d.pdf
TK20J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS VII) TK20J50D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.22 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (V
tk20j50d.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor TK20J50D DESCRIPTION Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 500V(Min) DSS Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching voltage regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
tk20j60w5.pdf
TK20J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20J60W5 TK20J60W5 TK20J60W5 TK20J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 110 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str
tk20j60w.pdf
TK20J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK20J60W TK20J60W TK20J60W TK20J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En
Другие IGBT... TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, K4145, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L, TK20X60U, TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c | ksa1220ay | irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a





