TK20J60U MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK20J60U
Маркировка: K20J60U
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 27 nC
Время нарастания (tr): 40 ns
Выходная емкость (Cd): 3500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Тип корпуса: SC65 TO3P
TK20J60U Datasheet (PDF)
tk20j60u.pdf
TK20J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK20J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.165 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0 V
tk20j60w5.pdf
TK20J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20J60W5TK20J60W5TK20J60W5TK20J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 110 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.15 (typ.) by used to Super Junction Str
tk20j60w.pdf
TK20J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK20J60WTK20J60WTK20J60WTK20J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En
tk20j60t.pdf
TK20J60T TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS) TK20J60T Switching Regulator Applications Unit: mm3.20.2 15.9max. Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.165 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 12 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
