TK30J25D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK30J25D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK30J25D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK30J25D даташит

 ..1. Size:230K  toshiba
 tk30j25d.pdf pdf_icon

TK30J25D

TK30J25D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK30J25D TK30J25D TK30J25D TK30J25D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.046 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V) (3) Enhancement mode Vth

Другие IGBT... TK20X60U, TK25A10K3, TK25A20D, TK2A65D, TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, IRFP450, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA, TK3A65DA, TK3A65D, TK3P50D, TK40A08K3, TK40A10J1