Справочник MOSFET. TK30J25D

 

TK30J25D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK30J25D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK30J25D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  toshiba
 tk30j25d.pdf pdf_icon

TK30J25D

TK30J25DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK30J25DTK30J25DTK30J25DTK30J25D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.046 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth

Другие MOSFET... TK20X60U , TK25A10K3 , TK25A20D , TK2A65D , TK2P60D , TK2Q60D , TK30A06J3A , TK30A06J3 , IRFB3607 , TK30S06K3L , TK35S04K3L , TK3A60DA , TK3A65DA , TK3A65D , TK3P50D , TK40A08K3 , TK40A10J1 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.