TK3A65DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK3A65DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.51 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK3A65DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK3A65DA даташит

 ..1. Size:205K  toshiba
 tk3a65da.pdf pdf_icon

TK3A65DA

TK3A65DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK3A65DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 2.3 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement mode Vth =

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk3a65da.pdf pdf_icon

TK3A65DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK3A65DA ITK3A65DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.3 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 7.1. Size:238K  toshiba
 tk3a65d.pdf pdf_icon

TK3A65DA

TK3A65D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK3A65D TK3A65D TK3A65D TK3A65D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.93 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS =

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk3a65d.pdf pdf_icon

TK3A65DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK3A65D ITK3A65D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.93 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK2P60D, TK2Q60D, TK30A06J3A, TK30A06J3, TK30J25D, TK30S06K3L, TK35S04K3L, TK3A60DA, 4N60, TK3A65D, TK3P50D, TK40A08K3, TK40A10J1, TK40A10K3, TK40F08K3, TK40J20D, TK40J60T