Справочник MOSFET. TK45P03M1

 

TK45P03M1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK45P03M1
   Маркировка: K45P03M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK45P03M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  toshiba
 tk45p03m1.pdf pdf_icon

TK45P03M1

TK45P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK45P03M1TK45P03M1TK45P03M1TK45P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 8.0 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.5 m (typ.) (VG

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: LND12N65 | STP53N05 | SVS65R280SD4 | AP15TN1R5N | ZXMP6A16KTC | AOW66616 | MTP8P08

 

 
Back to Top

 


 
.