TK45P03M1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK45P03M1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK45P03M1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK45P03M1 даташит

 ..1. Size:294K  toshiba
 tk45p03m1.pdf pdf_icon

TK45P03M1

TK45P03M1 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TK45P03M1 TK45P03M1 TK45P03M1 TK45P03M1 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) High-speed switching (2) Low gate charge QSW = 8.0 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.5 m (typ.) (VG

Другие IGBT... TK40J20D, TK40J60T, TK40J60U, TK40M60U, TK40P03M1, TK40P04M1, TK40S10K3Z, TK40X10J1, 2N60, TK4A50D, TK4A53D, TK4A55DA, TK4A55D, TK4A60DA, TK4A60DB, TK4A60D, TK4A65DA