TK45P03M1 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK45P03M1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK45P03M1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK45P03M1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK45P03M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  toshiba
 tk45p03m1.pdf pdf_icon

TK45P03M1

TK45P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK45P03M1TK45P03M1TK45P03M1TK45P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 8.0 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.5 m (typ.) (VG

Другие MOSFET... TK40J20D , TK40J60T , TK40J60U , TK40M60U , TK40P03M1 , TK40P04M1 , TK40S10K3Z , TK40X10J1 , 2N60 , TK4A50D , TK4A53D , TK4A55DA , TK4A55D , TK4A60DA , TK4A60DB , TK4A60D , TK4A65DA .

History: HGB043N15S | HFD1N60S | HGB042N10A | VBM1101N | MTE50N15Q8 | IPI26CN10NG

 

 
Back to Top

 


 
.