TK4A55DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK4A55DA

Маркировка: K4A55DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.45 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK4A55DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4A55DA даташит

 ..1. Size:190K  toshiba
 tk4a55da.pdf pdf_icon

TK4A55DA

TK4A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A55DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 2.0 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 1.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth =

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk4a55da.pdf pdf_icon

TK4A55DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK4A55DA ITK4A55DA FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.0 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 7.1. Size:189K  toshiba
 tk4a55d.pdf pdf_icon

TK4A55DA

TK4A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A55D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mode

 7.2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk4a55d.pdf pdf_icon

TK4A55DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK4A55D ITK4A55D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.5 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK40M60U, TK40P03M1, TK40P04M1, TK40S10K3Z, TK40X10J1, TK45P03M1, TK4A50D, TK4A53D, 75N75, TK4A55D, TK4A60DA, TK4A60DB, TK4A60D, TK4A65DA, TK4P50D, TK4P55DA, TK4P55D