Справочник MOSFET. TK4A55D

 

TK4A55D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK4A55D
   Маркировка: K4A55D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.88 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK4A55D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4A55D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk4a55d.pdf pdf_icon

TK4A55D

TK4A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4A55D Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 1.5 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 2.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mode

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk4a55d.pdf pdf_icon

TK4A55D

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK4A55DITK4A55DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 1.5 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 0.1. Size:190K  toshiba
 tk4a55da.pdf pdf_icon

TK4A55D

TK4A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.0 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth =

 0.2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk4a55da.pdf pdf_icon

TK4A55D

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK4A55DAITK4A55DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 2.0 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATING

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK40P03M1 , TK40P04M1 , TK40S10K3Z , TK40X10J1 , TK45P03M1 , TK4A50D , TK4A53D , TK4A55DA , RU6888R , TK4A60DA , TK4A60DB , TK4A60D , TK4A65DA , TK4P50D , TK4P55DA , TK4P55D , TK4P60DA .

History: UF640L-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.