TK4A65DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK4A65DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK4A65DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4A65DA даташит

 ..1. Size:204K  toshiba
 tk4a65da.pdf pdf_icon

TK4A65DA

TK4A65DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A65DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 1.9 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A(max) (VDS = 650 V) Enhancement mode Vth = 2

 9.1. Size:190K  toshiba
 tk4a60db.pdf pdf_icon

TK4A65DA

TK4A60DB TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A60DB Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.6 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600V) Enhancement mode Vth

 9.2. Size:188K  toshiba
 tk4a60d.pdf pdf_icon

TK4A65DA

TK4A60D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A60D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.4 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Ab

 9.3. Size:199K  toshiba
 tk4a60da.pdf pdf_icon

TK4A65DA

TK4A60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4A60DA Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 1.7 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK45P03M1, TK4A50D, TK4A53D, TK4A55DA, TK4A55D, TK4A60DA, TK4A60DB, TK4A60D, 7N60, TK4P50D, TK4P55DA, TK4P55D, TK4P60DA, TK4P60DB, TK50J30D, TK50J60U, TK50P03M1