TK4P50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK4P50D
Маркировка: K4P50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TK4P50D Datasheet (PDF)
tk4p50d.pdf
TK4P50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4P50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 1.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4
tk4p55da.pdf
TK4P55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4P55DA Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 2.0 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.8 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth = 2.4 to 4.4
tk4p55d.pdf
TK4P55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4P55D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.5 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4.
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
