TK4P60DA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK4P60DA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TK4P60DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK4P60DA даташит

 ..1. Size:205K  toshiba
 tk4p60da.pdf pdf_icon

TK4P60DA

TK4P60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4P60DA Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.7 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to 4

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 tk4p60da.pdf pdf_icon

TK4P60DA

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor TK4P60DA FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UN

 7.1. Size:234K  toshiba
 tk4p60d.pdf pdf_icon

TK4P60DA

TK4P60D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK4P60D TK4P60D TK4P60D TK4P60D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.4 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS = 1

 7.2. Size:208K  toshiba
 tk4p60db.pdf pdf_icon

TK4P60DA

TK4P60DB TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK4P60DB Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.6 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 2.4 to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK4A55D, TK4A60DA, TK4A60DB, TK4A60D, TK4A65DA, TK4P50D, TK4P55DA, TK4P55D, IRLB3034, TK4P60DB, TK50J30D, TK50J60U, TK50P03M1, TK50P04M1, TK50X15J1, TK55A10J1, TK5A45DA