TK4P60DA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK4P60DA
Маркировка: K4P60DA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TK4P60DA Datasheet (PDF)
tk4p60da.pdf
TK4P60DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4P60DA Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.7 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to 4
tk4p60da.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor TK4P60DAFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
tk4p60d.pdf
TK4P60DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK4P60DTK4P60DTK4P60DTK4P60D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.4 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 2.5 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1
tk4p60db.pdf
TK4P60DB TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK4P60DB Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 1.6 (typ.) 6.6 0.2 5.34 0.13 0.58MAX High forward transfer admittance: Yfs = 2.2 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 2.4 to
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD