TK50P04M1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK50P04M1
Маркировка: K50P04M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 38 nC
Время нарастания (tr): 22 ns
Выходная емкость (Cd): 420 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0087 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TK50P04M1 Datasheet (PDF)
tk50p04m1.pdf
TK50P04M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK50P04M1TK50P04M1TK50P04M1TK50P04M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 9.4 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.7 m (t
tk50p03m1.pdf
TK50P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK50P03M1TK50P03M1TK50P03M1TK50P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop PCs2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.8 m (typ.) (VGS = 10
ftk50p03pdfn56.pdf
SEMICONDUCTORFTK50P03PDFN56TECHNICAL DATAP-Channel Power MOSFETPDFN56-8L DESCRIPTION The FTK50P03PDFN56 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully characte
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
