TK50P04M1 - аналоги и даташиты транзистора

 

TK50P04M1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK50P04M1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK50P04M1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK50P04M1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk50p04m1.pdf pdf_icon

TK50P04M1

TK50P04M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK50P04M1TK50P04M1TK50P04M1TK50P04M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 9.4 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.7 m (t

 8.1. Size:242K  toshiba
 tk50p03m1.pdf pdf_icon

TK50P04M1

TK50P03M1MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TK50P03M1TK50P03M1TK50P03M1TK50P03M11. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop PCs2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Low gate charge: QSW = 8.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.8 m (typ.) (VGS = 10

 8.2. Size:696K  first silicon
 ftk50p03pdfn56.pdf pdf_icon

TK50P04M1

SEMICONDUCTORFTK50P03PDFN56TECHNICAL DATAP-Channel Power MOSFETPDFN56-8L DESCRIPTION The FTK50P03PDFN56 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES High density cell design for ultra low RDS(ON) Excellent package for good heat dissipation Fully characte

 8.3. Size:612K  jiejie micro
 jmtk50p02a.pdf pdf_icon

TK50P04M1

JMTK50P02A Description JMT P-channel MOSFET Features Application V =-20V, I =-60A PWM Applications DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK4P50D , TK4P55DA , TK4P55D , TK4P60DA , TK4P60DB , TK50J30D , TK50J60U , TK50P03M1 , AO3407 , TK50X15J1 , TK55A10J1 , TK5A45DA , TK5A50D , TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA .

History: SM3381EHQG | RU60D5H | STF10N95K5

 

 
Back to Top

 


 
.