TK5A53D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK5A53D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 525 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK5A53D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK5A53D даташит

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk5a53d.pdf pdf_icon

TK5A53D

TK5A53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5A53D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.2 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.8 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement mode Vth =

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk5a53d.pdf pdf_icon

TK5A53D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK5A53D ITK5A53D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) = 1.2 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:179K  toshiba
 tk5a50d.pdf pdf_icon

TK5A53D

TK5A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.3 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abs

 9.2. Size:189K  toshiba
 tk5a55d.pdf pdf_icon

TK5A53D

TK5A55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK5A55D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.4 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.4 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK50J30D, TK50J60U, TK50P03M1, TK50P04M1, TK50X15J1, TK55A10J1, TK5A45DA, TK5A50D, 60N06, TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D, TK60A08J1, TK60J25D