BUK453-100A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUK453-100A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для BUK453-100A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUK453-100A даташит
buk453-100a-b 2.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK453-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK453 -100A -100B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 100 100 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 14 13 A (SMPS),
buk453-100.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor BUK453-100A/B DESCRIPTION Drain Source Voltage- V =100V(Min) DSS Low R DS(ON) Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for Switched Mode Power Supplies (SMPS), motor control,welding, and in general purpose switching resistance application ABSOLUTE MAXIMU
buk453-60a-b.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK453-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK453 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 22 20 A (SMPS), motor
buk453-60a-b 1.pdf
Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK453-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK453 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 22 20 A (SMPS), motor
Другие MOSFET... BUK438W-800B , BUK444-800A , BUK444-800B , BUK445-200A , BUK446-1000B , BUK446-800A , BUK446-800B , BUK452-100A , IRF640 , BUK454-800A , BUK454-800B , BUK455-100A , BUK455-200A , BUK456-1000B , BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor



