Справочник MOSFET. TK60J25D

 

TK60J25D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60J25D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60J25D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk60j25d.pdf pdf_icon

TK60J25D

TK60J25DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK60J25DTK60J25DTK60J25DTK60J25D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.0285 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP4N4R2H | 2SJ542 | BSS138A | STF20NM60D | AONU32320 | YTF840

 

 
Back to Top

 


 
.