TK60J25D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK60J25D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK60J25D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60J25D даташит

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk60j25d.pdf pdf_icon

TK60J25D

TK60J25D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK60J25D TK60J25D TK60J25D TK60J25D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.0285 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V) (3) Enhancement mode Vth

Другие IGBT... TK5A53D, TK5A55D, TK5A60D, TK5A65DA, TK5A65D, TK5P50D, TK5P53D, TK60A08J1, 20N60, TK60P03M1, TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA