Справочник MOSFET. TK60J25D

 

TK60J25D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60J25D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
 

 Аналог (замена) для TK60J25D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60J25D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk60j25d.pdf pdf_icon

TK60J25D

TK60J25DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK60J25DTK60J25DTK60J25DTK60J25D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.0285 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth

Другие MOSFET... TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , 20N60 , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA .

History: IRFL1006PBF | BL13N50-P | IRFH5004 | MS10N65 | CSD87384M | SE10080A | HY3007PM

 

 
Back to Top

 


 
.