TK60J25D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TK60J25D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: SC65 TO3P
Аналог (замена) для TK60J25D
TK60J25D Datasheet (PDF)
tk60j25d.pdf

TK60J25DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK60J25DTK60J25DTK60J25DTK60J25D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.0285 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth
Другие MOSFET... TK5A53D , TK5A55D , TK5A60D , TK5A65DA , TK5A65D , TK5P50D , TK5P53D , TK60A08J1 , 20N60 , TK60P03M1 , TK60S06K3L , TK65L60V , TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA .
History: IRFL1006PBF | BL13N50-P | IRFH5004 | MS10N65 | CSD87384M | SE10080A | HY3007PM
History: IRFL1006PBF | BL13N50-P | IRFH5004 | MS10N65 | CSD87384M | SE10080A | HY3007PM



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n5496 | 2sb600 | 2sa1209 | 2sc1364 replacement | 2sd665 | 7506 mosfet datasheet | 2sb1186a | a1695 datasheet