TK6A50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK6A50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK6A50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6A50D даташит

 ..1. Size:172K  toshiba
 tk6a50d.pdf pdf_icon

TK6A50D

TK6A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK6A50D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.2 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 tk6a50d.pdf pdf_icon

TK6A50D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK6A50D ITK6A50D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.2 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 9.1. Size:183K  toshiba
 tk6a53d.pdf pdf_icon

TK6A50D

TK6A53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK6A53D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.1 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement mode Vth =

 9.2. Size:187K  toshiba
 tk6a55da.pdf pdf_icon

TK6A50D

TK6A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK6A55DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.25 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 3.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK5P53D, TK60A08J1, TK60J25D, TK60P03M1, TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, IRF640, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1, TK70J04J3, TK70J20D