TK6A55DA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK6A55DA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.48 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK6A55DA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6A55DA даташит

 ..1. Size:187K  toshiba
 tk6a55da.pdf pdf_icon

TK6A55DA

TK6A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK6A55DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.25 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 3.2 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth

 9.1. Size:172K  toshiba
 tk6a50d.pdf pdf_icon

TK6A55DA

TK6A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK6A50D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.2 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth

 9.2. Size:183K  toshiba
 tk6a53d.pdf pdf_icon

TK6A55DA

TK6A53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK6A53D Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 1.1 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 2.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement mode Vth =

 9.3. Size:252K  inchange semiconductor
 tk6a50d.pdf pdf_icon

TK6A55DA

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK6A50D ITK6A50D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.2 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.4 to 4.4V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK60J25D, TK60P03M1, TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, IRLZ44N, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1, TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3