TK6A65D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK6A65D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.11 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK6A65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK6A65D даташит

 ..1. Size:199K  toshiba
 tk6a65d.pdf pdf_icon

TK6A65D

TK6A65D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS VII) TK6A65D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.95 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk6a65d.pdf pdf_icon

TK6A65D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK6A65D ITK6A65D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.95 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 8.1. Size:376K  toshiba
 tk6a65w.pdf pdf_icon

TK6A65D

TK6A65W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK6A65W TK6A65W TK6A65W TK6A65W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.85 (typ.) by using Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement

 8.2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk6a65w.pdf pdf_icon

TK6A65D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK6A65W ITK6A65W FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.85 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, ID=0.18mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK60S06K3L, TK65L60V, TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, IRF640N, TK6P53D, TK70A06J1, TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA