Справочник MOSFET. TK70A06J1

 

TK70A06J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK70A06J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK70A06J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70A06J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  toshiba
 tk70a06j1.pdf pdf_icon

TK70A06J1

TK70A06J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK70A06J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Qg = 87nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.1 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 80 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (V

Другие MOSFET... TK65S04K3L , TK6A45DA , TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , TK6P53D , IRF3710 , TK70J04J3 , TK70J20D , TK70X04K3 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D , TK7A55D .

History: PV6A6BA | PSMN2R4-30MLD | AMA930N | IPB048N15N5

 

 
Back to Top

 


 
.