TK70A06J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK70A06J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK70A06J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70A06J1 даташит

 ..1. Size:182K  toshiba
 tk70a06j1.pdf pdf_icon

TK70A06J1

TK70A06J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK70A06J1 Switching Regulator Application Unit mm High-Speed switching Small gate charge Qg = 87nC (typ.) Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 5.1 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 80 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (V

Другие IGBT... TK65S04K3L, TK6A45DA, TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, AO3400, TK70J04J3, TK70J20D, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D