Справочник MOSFET. TK70J20D

 

TK70J20D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK70J20D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
 

 Аналог (замена) для TK70J20D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70J20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  toshiba
tk70j20d.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J20DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK70J20DTK70J20DTK70J20DTK70J20D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.02 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 9.1. Size:225K  toshiba
tk70j06k3.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J06K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS

 9.2. Size:239K  toshiba
tk70j04k3z.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J04K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:

 9.3. Size:195K  toshiba
tk70j04j3.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J04J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK70J04J3 Motor Drive Application Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 40 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ra

Другие MOSFET... TK6A50D , TK6A53D , TK6A55DA , TK6A60D , TK6A65D , TK6P53D , TK70A06J1 , TK70J04J3 , P55NF06 , TK70X04K3 , TK70X06K3 , TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D .

History: IPP80N06S2-05 | STP20NE06L | TPC8055-H | TPC8025 | IRF150SMD | DMN2004VK

 

 
Back to Top

 


 
.