Справочник MOSFET. TK70J20D

 

TK70J20D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK70J20D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 155 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70J20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  toshiba
tk70j20d.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J20DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK70J20DTK70J20DTK70J20DTK70J20D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.02 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V)(3) Enhancement mode: Vth =

 9.1. Size:225K  toshiba
tk70j06k3.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J06K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS

 9.2. Size:239K  toshiba
tk70j04k3z.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J04K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:

 9.3. Size:195K  toshiba
tk70j04j3.pdfpdf_icon

TK70J20D

TK70J04J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK70J04J3 Motor Drive Application Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 40 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ra

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.