TK70J20D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TK70J20D
Маркировка: K70J20D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
trⓘ - Время нарастания: 155 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SC65 TO3P
TK70J20D Datasheet (PDF)
tk70j20d.pdf
TK70J20DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK70J20DTK70J20DTK70J20DTK70J20D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.02 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V)(3) Enhancement mode: Vth =
tk70j06k3.pdf
TK70J06K3MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K3TK70J06K31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current: IDSS
tk70j04k3z.pdf
TK70J04K3ZMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS)TK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3ZTK70J04K3Z1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.2 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current:
tk70j04j3.pdf
TK70J04J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) TK70J04J3 Motor Drive Application Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 40 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ra
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918