TK70J20D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK70J20D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 155 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK70J20D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK70J20D даташит

 ..1. Size:226K  toshiba
 tk70j20d.pdf pdf_icon

TK70J20D

TK70J20D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK70J20D TK70J20D TK70J20D TK70J20D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.02 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 200 V) (3) Enhancement mode Vth =

 9.1. Size:225K  toshiba
 tk70j06k3.pdf pdf_icon

TK70J20D

TK70J06K3 MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK70J06K3 TK70J06K3 TK70J06K3 TK70J06K3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current IDSS

 9.2. Size:239K  toshiba
 tk70j04k3z.pdf pdf_icon

TK70J20D

TK70J04K3Z MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK70J04K3Z TK70J04K3Z TK70J04K3Z TK70J04K3Z 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators DC-DC Converters Motor Drivers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 3.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

 9.3. Size:195K  toshiba
 tk70j04j3.pdf pdf_icon

TK70J20D

TK70J04J3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TK70J04J3 Motor Drive Application Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 3.0 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 120 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 40 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK6A50D, TK6A53D, TK6A55DA, TK6A60D, TK6A65D, TK6P53D, TK70A06J1, TK70J04J3, IRF3710, TK70X04K3, TK70X06K3, TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D