TK80F08K3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK80F08K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: TO220SM

Аналог (замена) для TK80F08K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80F08K3 даташит

 ..1. Size:214K  toshiba
 tk80f08k3.pdf pdf_icon

TK80F08K3

TK80F08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK80F08K3 Swiching Regulator Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 3.4 m (typ.) 10.0 0.3 Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) 0.4 0.1 9.5 0.2 Enhancement-model Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

Другие IGBT... TK75A06K3, TK7A45DA, TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, AON7408, TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA