Справочник MOSFET. TK80F08K3

 

TK80F08K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK80F08K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TO220SM
 

 Аналог (замена) для TK80F08K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80F08K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  toshiba
 tk80f08k3.pdf pdf_icon

TK80F08K3

TK80F08K3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIV) TK80F08K3 Swiching Regulator Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 3.4 m (typ.) 10.0 0.3 Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 75 V) 0.4 0.19.5 0.2 Enhancement-model: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)

Другие MOSFET... TK75A06K3 , TK7A45DA , TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , 2N7000 , TK80S04K3L , TK80S06K3L , TK80X04K3 , TK8A10K3 , TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA .

History: NCEP30T12G | HUF75631S3S | KP778B | SWMQI6N70DA | ZM075N03D | NCEP02580 | AO4474

 

 
Back to Top

 


 
.