Справочник MOSFET. TK80S06K3L

 

TK80S06K3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TK80S06K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Время нарастания (tr): 13 ns
   Выходная емкость (Cd): 650 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для TK80S06K3L

 

 

TK80S06K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
tk80s06k3l.pdf

TK80S06K3L
TK80S06K3L

TK80S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

 8.1. Size:279K  toshiba
tk80s04k3l.pdf

TK80S06K3L
TK80S06K3L

TK80S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L , TK10A60D , TK80X04K3 , TK8A10K3 , TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA .

 

 
Back to Top