TK80S06K3L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TK80S06K3L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для TK80S06K3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80S06K3L даташит

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk80s06k3l.pdf pdf_icon

TK80S06K3L

TK80S06K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80S06K3L TK80S06K3L TK80S06K3L TK80S06K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

 8.1. Size:279K  toshiba
 tk80s04k3l.pdf pdf_icon

TK80S06K3L

TK80S04K3L MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS ) TK80S04K3L TK80S04K3L TK80S04K3L TK80S04K3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (VGS = 10 V) (2) Low leakage current

Другие IGBT... TK7A50D, TK7A55D, TK7A65D, TK7P50D, TK80A08K3, TK80E06K3A, TK80F08K3, TK80S04K3L, STP75NF75, TK80X04K3, TK8A10K3, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, TK8A50D, TK8A55DA