TK80S06K3L - аналоги и даташиты транзистора

 

TK80S06K3L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TK80S06K3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TK80S06K3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK80S06K3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  toshiba
 tk80s06k3l.pdf pdf_icon

TK80S06K3L

TK80S06K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3LTK80S06K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

 8.1. Size:279K  toshiba
 tk80s04k3l.pdf pdf_icon

TK80S06K3L

TK80S04K3LMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS )TK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3LTK80S04K3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.4 m (typ.) (VGS = 10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... TK7A50D , TK7A55D , TK7A65D , TK7P50D , TK80A08K3 , TK80E06K3A , TK80F08K3 , TK80S04K3L , 12N60 , TK80X04K3 , TK8A10K3 , TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , TK8A55DA .

History: JMSH0601ATL | RS1E320GN | JFQM3N150C | P4404ETG | JFPC8N80C | P4404EDG | GSM4412

 

 
Back to Top

 


 
.