Справочник MOSFET. TK8A45D

 

TK8A45D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8A45D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A45D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  toshiba
 tk8a45d.pdf pdf_icon

TK8A45D

TK8A45DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK8A45DTK8A45DTK8A45DTK8A45D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.73 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.8 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTLJF4156NTAG | FRE264D | IRFY9140 | CHM5P03PAGP | QM6014S | MTB04N03E3 | RJK5013DPP-E0

 

 
Back to Top

 


 
.