TK8A50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK8A50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TK8A50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A50D даташит

 ..1. Size:180K  toshiba
 tk8a50d.pdf pdf_icon

TK8A50D

TK8A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK8A50D Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.7 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolu

 ..2. Size:253K  inchange semiconductor
 tk8a50d.pdf pdf_icon

TK8A50D

INCHANGE Semiconductor iscN-Channel MOSFET Transistor TK8A50D ITK8A50D FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.7 (typ.) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 0.1. Size:209K  toshiba
 tk8a50da.pdf pdf_icon

TK8A50D

TK8A50DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK8A50DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.76 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 4.1 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode

 9.1. Size:201K  toshiba
 tk8a55da.pdf pdf_icon

TK8A50D

TK8A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK8A55DA Switching Regulator Applications Unit mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.9 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 3.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TK80S04K3L, TK80S06K3L, TK80X04K3, TK8A10K3, TK8A25DA, TK8A45DA, TK8A45D, TK8A50DA, IRFP260, TK8A55DA, TK8A60DA, TK8A65D, TK8P25DA, TK8S06K3L, TK9A45D, TK9A55DA, TK9A60D