Справочник MOSFET. TK8A55DA

 

TK8A55DA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK8A55DA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TK8A55DA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK8A55DA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  toshiba
 tk8a55da.pdf pdf_icon

TK8A55DA

TK8A55DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK8A55DA Switching Regulator Applications Unit: mm2.7 0.210 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.9 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 3.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth =

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 tk8a55da.pdf pdf_icon

TK8A55DA

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK8A55DAITK8A55DAFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.9 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=1.0mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.1. Size:209K  toshiba
 tk8a50da.pdf pdf_icon

TK8A55DA

TK8A50DA TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK8A50DA Switching Regulator Applications Unit: mm 2.7 0.2 10 0.3 3.2 0.2 A Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.76 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.1 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode:

 9.2. Size:180K  toshiba
 tk8a50d.pdf pdf_icon

TK8A55DA

TK8A50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK8A50D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.7 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TK80S06K3L , TK80X04K3 , TK8A10K3 , TK8A25DA , TK8A45DA , TK8A45D , TK8A50DA , TK8A50D , 2SK3568 , TK8A60DA , TK8A65D , TK8P25DA , TK8S06K3L , TK9A45D , TK9A55DA , TK9A60D , TPC6008-H .

History: SSD20N10-250D | SWN6N80D | IRF8714G

 

 
Back to Top

 


 
.