TPC8057-H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPC8057-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TPC8057-H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPC8057-H даташит
tpc8057-h.pdf
TPC8057-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8057-H TPC8057-H TPC8057-H TPC8057-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) High-speed switching (3) Small gate change
tpc8053-h.pdf
TPC8053-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS -H) TPC8053-H Switching Regulator Applications Motor Drive Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge QSW = 6.7 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 14.1 m (typ.)
tpc8059-h.pdf
TPC8059-H MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS -H) TPC8059-H TPC8059-H TPC8059-H TPC8059-H 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) High-speed switching (3) Small gate change
tpc8050-h.pdf
TPC8050-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS -H) TPC8050-H Switching Regulator Applications Motor Drive Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge QSW = 9.2 nC (typ.) Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 9.3 m (typ.)
Другие IGBT... TPC8048-H, TPC8049-H, TPC8050-H, TPC8051-H, TPC8052-H, TPC8053-H, TPC8055-H, TPC8056-H, 2N60, TPC8058-H, TPC8059-H, TPC8061-H, TPC8062-H, TPC8063-H, TPC8064-H, TPC8065-H, TPC8066-H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218









