TPC8080. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPC8080
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 810 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TPC8080
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPC8080 даташит
tpc8080.pdf
TPC8080 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS ) TPC8080 TPC8080 TPC8080 TPC8080 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.2 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage curren
tpc8084.pdf
TPC8084 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS ) TPC8084 TPC8084 TPC8084 TPC8084 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Notebook PCs Mobile Equipments 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 5.4 m (typ
tpc8081.pdf
TPC8081 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS ) TPC8081 TPC8081 TPC8081 TPC8081 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 2.5 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage curren
tpc8087.pdf
TPC8087 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS ) TPC8087 TPC8087 TPC8087 TPC8087 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 1.7 m (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage curren
Другие IGBT... TPC8065-H, TPC8066-H, TPC8067-H, TPC8073, TPC8074, TPC8075, TPC8076, TPC8078, AON7403, TPC8081, TPC8082, TPC8084, TPC8085, TPC8086, TPC8087, TPC8088, TPC8092
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735









