Справочник MOSFET. TPC8082

 

TPC8082 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPC8082
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPC8082 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  toshiba
 tpc8082.pdf pdf_icon

TPC8082

TPC8082MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPC8082TPC8082TPC8082TPC80821. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.1 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low leakage curren

 8.1. Size:238K  toshiba
 tpc8084.pdf pdf_icon

TPC8082

TPC8084MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPC8084TPC8084TPC8084TPC80841. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Lithium-Ion Secondary Batteries Notebook PCs Mobile Equipments2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 5.4 m (typ

 8.2. Size:222K  toshiba
 tpc8081.pdf pdf_icon

TPC8082

TPC8081MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPC8081TPC8081TPC8081TPC80811. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.5 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low leakage curren

 8.3. Size:220K  toshiba
 tpc8087.pdf pdf_icon

TPC8082

TPC8087MOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS)TPC8087TPC8087TPC8087TPC80871. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.7 m (typ.) (VGS = 10 V)(3) Low leakage curren

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: P0706BK | NTD5803N | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | SML6060CN

 

 
Back to Top

 


 
.