Справочник MOSFET. BUK462-100A

 

BUK462-100A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK462-100A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT404
 

 Аналог (замена) для BUK462-100A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK462-100A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  philips
 buk462-100a 2.pdf pdf_icon

BUK462-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK462-100AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 100 Vapplications. ID Drain current (DC) 11 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 60

 7.1. Size:56K  philips
 buk462-60a 1.pdf pdf_icon

BUK462-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK462-60A mGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 60 Vmount applications. ID Drain current (DC) 15 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 60

 9.1. Size:57K  philips
 buk463-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK462-100A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK463-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope. BUK463 -60A -60BThe device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 VSwitched Mode Power Supplies ID Drain current (DC) 22 20 A(SMPS), motor

 9.2. Size:57K  philips
 buk465-200a 1.pdf pdf_icon

BUK462-100A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK465-200AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in a plasticenvelope suitable for surface mount VDS Drain-source voltage 200 Vapplications. ID Drain current (DC) 14 AThe device is intended for use in Ptot Total power dissipation 125

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK455-100A , BUK455-200A , BUK456-1000B , BUK456-100A , BUK456-200A , BUK456-200B , BUK456-800A , BUK456-800B , IRFP250N , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , BUK466-200A , BUK473-100A , BUK473-100B , BUK482-100A , BUK543-100A .

 

 
Back to Top

 


 
.