TPCA8062-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPCA8062-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm
Тип корпуса: SOP-ADVANCE
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
TPCA8062-H Datasheet (PDF)
tpca8062-h.pdf

TPCA8062-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCA8062-HTPCA8062-HTPCA8062-HTPCA8062-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) High-speed switching(3) Small gate ch
tpca8063-h.pdf

TPCA8063-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCA8063-HTPCA8063-HTPCA8063-HTPCA8063-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 5.9 nC (typ.)(
tpca8060-h.pdf

TPCA8060-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS-H) TPCA8060-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications 1.27 0.4 0.1 8 0.05 M A Portable Equipment Applications 5 0.15 0.05 Small footprint due to a small and thin package High-speed switching 40.595 Small gate charge: QSW = 17nC (t
tpca8068-h.pdf

TPCA8068-HMOSFETs Silicon N-Channel MOS (U-MOS-H)TPCA8068-HTPCA8068-HTPCA8068-HTPCA8068-H1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small, thin package(2) High-speed switching(3) Small gate charge: QSW = 3.3 nC (typ.)(
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STB6NK60Z | 2SK1064 | ATP207 | AFN3484 | RZQ050P01 | AM7961P | 2SK2882
History: STB6NK60Z | 2SK1064 | ATP207 | AFN3484 | RZQ050P01 | AM7961P | 2SK2882



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c2383 | 2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a