TPCA8107-H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPCA8107-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOP-ADVANCE
Аналог (замена) для TPCA8107-H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPCA8107-H даташит
tpca8107-h.pdf
TPCA8107-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (Ultra-High-speed U-MOSIII) TPCA8107-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications 1.27 0.4 0.1 8 0.05 M A Portable Equipment Applications 5 CCFL Inverter Applications 0.15 0.05 Small footprint due to a small and thin package High-speed switching 4 0.595
tpca8102.pdf
TPCA8102 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCA8102 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications 0.4 0.1 1.27 0.05 M A Portable Equipment Applications 8 5 0.15 0.05 Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.5m (typ.) 4 1 0.595 High forward transfer
tpca8108.pdf
TPCA8108 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCA8108 High-Side Switching Applications Motor Drive Applications Unit mm 0.4 0.1 1.27 0.5 0.1 0.05 M A 8 5 Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 7.7 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 41S (typ.) 0.15 0.05
tpca8106.pdf
TPCA8106 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS ) TPCA8106 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Notebook PC Applications 1.27 0.4 0.1 8 0.05 M A Portable Equipment Applications 5 0.15 0.05 Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 2.9 m (typ.) 4 0.595 1 (VGS= -10V
Другие IGBT... TPCA8078, TPCA8080, TPCA8081, TPCA8082, TPCA8087, TPCA8088, TPCA8104, TPCA8105, STP80NF70, TPCA8108, TPCA8109, TPCA8120, TPCA8128, TPCA8131, TPCA8A02-H, TPCA8A04-H, TPCA8A05-H
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
2n3567 | 2sc1226 | 2sd180 | 2sd235 | k3502 datasheet | p0903bdg datasheet | 2sa722 | f1010e mosfet datasheet









