BUK473-100B - описание и поиск аналогов

 

BUK473-100B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK473-100B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SOT186A

Аналог (замена) для BUK473-100B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK473-100B даташит

 4.1. Size:60K  philips
 buk473-100a-b.pdf pdf_icon

BUK473-100B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK473-100A/B Isolated version of BUK453-100A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. The BUK473 -100A -100B device is intended foruse in Switched VDS Drain-source voltage 100 100 V Mode Power Sup

 7.1. Size:57K  philips
 buk473-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK473-100B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK473-60A/B Isolated version of BUK453-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. The BUK473 -60A -60B device is intended foruse in Switched VDS Drain-source voltage 60 60 V Mode Power Supplies

 9.1. Size:55K  philips
 buk474-60h 1.pdf pdf_icon

BUK473-100B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK474-60H GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 21 A Automotive applications, Switched Ptot Total power dissipation

 9.2. Size:57K  philips
 buk472-60a-b 1.pdf pdf_icon

BUK473-100B

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK472-60A/B Isolated version of BUK452-60A/B GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope. BUK472 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK456-800A , BUK456-800B , BUK462-100A , BUK463-100A , BUK465-100A , BUK465-200A , BUK466-200A , BUK473-100A , IRF630 , BUK482-100A , BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A , BUK552-100B , BUK553-100A , BUK555-100A .

History: BUK456-200A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.