Справочник MOSFET. TPCF8301

 

TPCF8301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPCF8301
   Маркировка: F5A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: VS8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPCF8301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  toshiba
 tpcf8301.pdf pdf_icon

TPCF8301

TPCF8301 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPCF8301 Notebook PC Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 72 m (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 4.7 S (typ.) fs Low leakage current: I = -10 A (max) (V = -20 V) DSS DS Enhancement-model: Vth = -0.5 to

 7.1. Size:238K  toshiba
 tpcf8305.pdf pdf_icon

TPCF8301

TPCF8305MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCF8305TPCF8305TPCF8305TPCF83051. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Notebook PCs Mobile Handsets2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 47 m (typ.) (VGS = -4.5 V)(3) Low leakage

 7.2. Size:283K  toshiba
 tpcf8304.pdf pdf_icon

TPCF8301

TPCF8304 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS IV) TPCF8304 Notebook PC Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 60 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.9 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -30 V) Enhancement model: Vth = -0.8 to -2.0 V,

 7.3. Size:225K  toshiba
 tpcf8306.pdf pdf_icon

TPCF8301

TPCF8306MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TPCF8306TPCF8306TPCF8306TPCF83061. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Management Switches2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Small footprint due to a small and thin package(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 90 m (typ.) (VGS = -4.5 V)(3) Low leakage current:

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A

 

 
Back to Top

 


 
.