TPCP8008-H. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPCP8008-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.84 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: PS8
Аналог (замена) для TPCP8008-H
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
TPCP8008-H даташит
tpcp8008-h.pdf
TPCP8008-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS -H) TPCP8008-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications 0.33 0.05 M 0.05 A 8 5 Small footprint due to a small and thin package High-speed switching Small gate charge QSW = 3.8 nC (typ.) Low drain-sour
tpcp8004.pdf
TPCP8004 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) TPCP8004 Notebook PC Applications Unit mm Portable Equipment Applications 0.33 0.05 M 0.05 A 8 5 Small footprint due to a small and thin package High speed switching Small gate charge Qg = 26nC (typ.) 0.475 1 4 B M 0.05 B 0.65 Low drain-source ON-resistance
tpcp8006.pdf
TPCP8006 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS IV) TPCP8006 Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Unit mm 0.33 0.05 M 0.05 A Small footprint due to small and thin package 8 5 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 6.5 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 36 S (typ.) Low leakage curr
tpcp8003-h.pdf
TPCP8003-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra High speed U-MOSIII) TPCP8003-H High Efficiency DC DC Converter Applications Unit mm Notebook PC Applications 0.33 0.05 0.05 M A 8 5 Portable Equipment Applications Small footprint due to a small and thin package 0.475 1 4 High speed switching B 0.05 M B 0.65 Small gate charge
Другие IGBT... TPCF8305, TPCF8402, TPCF8B01, TPCP8003-H, TPCP8004, TPCP8005-H, TPCP8006, TPCP8007-H, IRF540N, TPCP8101, TPCP8102, TPCP8103-H, TPCP8105, TPCP8106, TPCP8203, TPCP8204, TPCP8205-H
History: DH1K1N10E | TPW60R080CFD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT | AP3N5R0MT | AP2P053Y | AP12A390YT | AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet









