Справочник MOSFET. 2SJ407

 

2SJ407 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SJ407
   Маркировка: J407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220NIS

 Аналог (замена) для 2SJ407

 

 

2SJ407 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  toshiba
 2sj407.pdf

2SJ407 2SJ407

2SJ407 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (-MOSV) 2SJ407 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mm Applications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.8 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 4.0 S (typ.) fs Low leakage current : I = -100 A (max) (V = -200 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = -1.5~-3.

 9.1. Size:420K  toshiba
 2sj402.pdf

2SJ407 2SJ407

2SJ402 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ402 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 29 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 23 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode

 9.2. Size:420K  toshiba
 2sj401.pdf

2SJ407 2SJ407

2SJ401 2 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L --MOSV) 2SJ401 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Unit: mm Applications 4 V gate drive Low drain-source ON resistance : R = 33 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 20 S (typ.) fs Low leakage current : IDSS = -100 A (max) (V = -60 V) DS Enhancement-mode

 9.3. Size:43K  sanyo
 2sj400.pdf

2SJ407 2SJ407

Ordering number:ENN6422P-Channel Silicon MOSFET2SJ400Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2093A 4V drive.[2SJ400] Enables simplified fabrication, high-density mount-4.510.21.3ing, and miniaturization in end products due to thesurface mountable package.1.20.80.41 2

 9.4. Size:27K  hitachi
 2sj409l-s.pdf

2SJ407 2SJ407

2SJ409(L), 2SJ409(S)Silicon P-Channel MOS FETApplicationHigh speed power switchingFeatures Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V Gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converterOutlineLDPAK44123123DG1. Gate2. Drain3. SourceS4. Drain2SJ409(L), 2SJ409(S)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top