BUK555-200A - описание и поиск аналогов

 

BUK555-200A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK555-200A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: SOT78

Аналог (замена) для BUK555-200A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK555-200A даташит

 0.1. Size:55K  philips
buk555-200a-b 1.pdfpdf_icon

BUK555-200A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-200A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK555 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain

 4.1. Size:86K  philips
buk555-200b.pdfpdf_icon

BUK555-200A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-200A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK555 -200A -200B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 200 200 V Switched Mode Power Supplies ID Drain

 7.1. Size:55K  philips
buk555-60a-b 1.pdfpdf_icon

BUK555-200A

Philips Semiconductors Product Specification PowerMOS transistor BUK555-60A/B Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. UNIT logic level field-effect power transistor in a plastic envelope. BUK555 -60A -60B The device is intended for use in VDS Drain-source voltage 60 60 V Switched Mode Power Supplies ID Drain curre

 7.2. Size:69K  philips
buk555-60h 1.pdfpdf_icon

BUK555-200A

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK555-60H Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope. VDS Drain-source voltage 60 V The device is intended for use in ID Drain current (DC) 41 A Automotive applications, Switched Ptot Tota

Другие MOSFET... BUK543-100A , BUK545-100A , BUK545-100B , BUK552-100A , BUK552-100B , BUK553-100A , BUK555-100A , BUK555-100B , K3569 , BUK563-100A , BUK565-100A , BUK581-100A , BUK582-100A , BUK7506-30 , BUK7508-55 , BUK7510-30 , BUK7514-30 .

History: BUK545-100A | BUK109-50GS | BUK436W-800B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.