2SK2608 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2608
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для 2SK2608
2SK2608 Datasheet (PDF)
2sk2608.pdf

2SK2608 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2608 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 3.73 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 2.6 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 720 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D
2sk2608.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2608FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.78(TYP)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
2sk2607.pdf

2SK2607 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2607 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Moter Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.0 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | 7.0 S (typ.) fs = Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0
2sk2604.pdf

2SK2604 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2604 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS = 1.9 (typ.) (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 3.8 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 640 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V (V = 10 V, I = 1 mA) DS D
Другие MOSFET... 2SK2544 , 2SK2545 , 2SK2549 , 2SK2598 , 2SK2599 , 2SK2603 , 2SK2604 , 2SK2605 , IRF540 , 2SK2610 , 2SK2611 , 2SK2614 , 2SK2661 , 2SK2662 , 2SK2679 , 2SK2698 , 2SK2717 .
History: VSE003N04MS-G | HM75N06K | HMS100N85D
History: VSE003N04MS-G | HM75N06K | HMS100N85D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n