2SK2777 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SK2777
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
Тип корпуса: TO220FL TO220SM
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SK2777 Datasheet (PDF)
2sk2777.pdf

2SK2777 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (--MOSV) 2SK2777 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.9 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 5.5 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 600 V) DSS DS Enhancement-mode : Vth = 2.0~4.0 V
2sk2777.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2777FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PA
2sk2778 2sk2779.pdf

2-2 MOS FETsSpecifications List by Part NumberAbsolute Maximum RatingsIGSS IDSS VTHVDSS VGSS ID ID (pulse) PDPart EASConditions Conditions ConditionsNumber(nA) VGS (A) VDS (V) VDS ID(mJ)(V) (V) (A) (A) (W)max (V) min max (V) min max (V) ( A)2SK2420 60 20 30 120 40 38 100 20 100 60 2.0 4.0 10 2502SK2701A 450 30 7 28 35 130 100 30 100 450 2.0
2sk2776.pdf

2SK2776 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK2776 Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 0.75 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: TPC8118 | PHX7N60E | 2SK4070D | FTK138D | GD1 | HMS10N60K | IXFP18N65X2
History: TPC8118 | PHX7N60E | 2SK4070D | FTK138D | GD1 | HMS10N60K | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44 | 2n5551 | irf540n | irf3205 mosfet | 2n3055