2SK3397. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SK3397
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Аналог (замена) для 2SK3397
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK3397 даташит
2sk3397.pdf
2SK3397 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK3397 Relay Drive and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.0 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 110 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 30 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (V
2sk3398.pdf
2SK3398 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3398 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.4 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 9.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth
2sk3399.pdf
2SK3399 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3399 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.54 (typ) High forward transfer admittance Yfs = 5.2 S (typ) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDSS = 600 V) Enhancementmode Vth = 3.0 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M
2sk3391.pdf
2SK3391 Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier REJ03G0209-0300 Rev.3.00 Nov 08, 2007 Features High power output, High gain, High efficiency PG = 18 dB, Pout = 1.6 W, add = 58% min. (f = 836 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. S
Другие MOSFET... 2SK3312 , 2SK3313 , 2SK3316 , 2SK3342 , 2SK3374 , 2SK3387 , 2SK3388 , 2SK3389 , IRFZ46N , 2SK3398 , 2SK3399 , 2SK3403 , 2SK3407 , 2SK3417 , 2SK3437 , 2SK3439 , 2SK3440 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001




