Справочник MOSFET. 2SK3398

 

2SK3398 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3398
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TFP SC97
 

 Аналог (замена) для 2SK3398

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3398 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  toshiba
2sk3398.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3398 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK3398 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.4 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 9.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth

 8.1. Size:220K  toshiba
2sk3399.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3399 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK3399 Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.54 (typ) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.2 S (typ) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDSS = 600 V) Enhancementmode: Vth = 3.0~5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M

 8.2. Size:215K  toshiba
2sk3397.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3397 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK3397 Relay Drive and DC-DC Converter Applications Unit: mmMotor Drive Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 4.0 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 110 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 30 V) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 3.0 V (V

 8.3. Size:151K  renesas
2sk3391.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3391 Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier REJ03G0209-0300 Rev.3.00 Nov 08, 2007 Features High power output, High gain, High efficiency PG = 18 dB, Pout = 1.6 W, add = 58% min. (f = 836 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-AR(Package Name : UPAK )3121. Gate31 2. Source3. Drain4. S

Другие MOSFET... 2SK3313 , 2SK3316 , 2SK3342 , 2SK3374 , 2SK3387 , 2SK3388 , 2SK3389 , 2SK3397 , IRF1405 , 2SK3399 , 2SK3403 , 2SK3407 , 2SK3417 , 2SK3437 , 2SK3439 , 2SK3440 , 2SK3441 .

History: IRFP331 | FDPF770N15A | NDF06N62Z

 

 
Back to Top

 


 
.