2SK3398 - описание и поиск аналогов

 

2SK3398. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3398

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TFP SC97

Аналог (замена) для 2SK3398

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3398 даташит

 ..1. Size:190K  toshiba
2sk3398.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3398 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3398 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.4 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 9.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth

 8.1. Size:220K  toshiba
2sk3399.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3399 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3399 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.54 (typ) High forward transfer admittance Yfs = 5.2 S (typ) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDSS = 600 V) Enhancementmode Vth = 3.0 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M

 8.2. Size:215K  toshiba
2sk3397.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3397 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) 2SK3397 Relay Drive and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 4.0 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 110 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 30 V) Enhancement mode Vth = 1.5 to 3.0 V (V

 8.3. Size:151K  renesas
2sk3391.pdfpdf_icon

2SK3398

2SK3391 Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier REJ03G0209-0300 Rev.3.00 Nov 08, 2007 Features High power output, High gain, High efficiency PG = 18 dB, Pout = 1.6 W, add = 58% min. (f = 836 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. S

Другие MOSFET... 2SK3313 , 2SK3316 , 2SK3342 , 2SK3374 , 2SK3387 , 2SK3388 , 2SK3389 , 2SK3397 , IRF830 , 2SK3399 , 2SK3403 , 2SK3407 , 2SK3417 , 2SK3437 , 2SK3439 , 2SK3440 , 2SK3441 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.