2SK4012 - описание и поиск аналогов

 

2SK4012. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK4012

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для 2SK4012

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK4012 даташит

 ..1. Size:215K  toshiba
2sk4012.pdfpdf_icon

2SK4012

2SK4012 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOSVI) 2SK4012 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0. 33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement mode Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M

 ..2. Size:279K  inchange semiconductor
2sk4012.pdfpdf_icon

2SK4012

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK4012 FEATURES Drain Current I = 13A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.4 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoi

 8.1. Size:214K  toshiba
2sk4015.pdfpdf_icon

2SK4012

2SK4015 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) 2SK4015 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.60 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 7.4 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (VDS = 600 V) Enhancement model Vth = 2.0 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute Max

 8.2. Size:225K  toshiba
2sk4016.pdfpdf_icon

2SK4012

2SK4016 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type ( -MOS VI) 2SK4016 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 10 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement model Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Abso

Другие MOSFET... 2SK3905 , 2SK3907 , 2SK3911 , 2SK3934 , 2SK3935 , 2SK3947 , 2SK3994 , 2SK4002 , IRF9540 , 2SK4015 , 2SK4016 , 2SK4018 , 2SK4019 , 2SK4020 , 2SK4021 , 2SK4022 , 2SK4103 .

History: 2SK400 | 2SK4019 | WMQ30DP03TS | 2SK2071-01L | 2SK616

 

 

 

 

↑ Back to Top
.