Справочник MOSFET. TK60D08J1

 

TK60D08J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60D08J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60D08J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk60d08j1.pdf pdf_icon

TK60D08J1

TK60D08J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK60D08J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: OSG60R360DZF | SPD04N60C3 | PNMET20V06E | FDC654P | 2SK1501 | SML40J53 | OSG55R074HSZF

 

 
Back to Top

 


 
.