TK60D08J1 - описание и поиск аналогов

 

TK60D08J1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK60D08J1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK60D08J1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60D08J1 даташит

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk60d08j1.pdf pdf_icon

TK60D08J1

TK60D08J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS ) TK60D08J1 Switching Regulator Application Unit mm High-Speed switching Small gate charge Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 120 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max)

Другие MOSFET... TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , IRF2807 , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , TK8B50D .

History: WSP6946 | IAUC120N04S6N013 | 2SK3078A | MEE4294K-G | ME80N75F-G | IAUC60N04S6N044 | JMSL0315AP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.