Справочник MOSFET. TK60D08J1

 

TK60D08J1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK60D08J1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для TK60D08J1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK60D08J1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  toshiba
 tk60d08j1.pdf pdf_icon

TK60D08J1

TK60D08J1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOS) TK60D08J1 Switching Regulator Application Unit: mm High-Speed switching Small gate charge: Qg = 86 nC (typ.) Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 6.2 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 120 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max)

Другие MOSFET... TK20D60U , TK20H50C , TK20J60T , TK40A10N1 , TK40D10J1 , TK40E10N1 , TK50F15J1 , TK55D10J1 , IRFB31N20D , TK65A10N1 , TK65E10N1 , TK6B60D , TK70D06J1 , TK70J06K3 , TK75J04K3Z , TK80D08K3 , TK8B50D .

History: PSMN3R3-60PL | NDB708A

 

 
Back to Top

 


 
.