Справочник MOSFET. TPC6104

 

TPC6104 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPC6104
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: VS6
 

 Аналог (замена) для TPC6104

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPC6104 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  toshiba
tpc6104.pdfpdf_icon

TPC6104

TPC6104 PMOS (U-MOSIII) TPC6104 PC : mm : R = 33 m () DS (ON) : |Yfs| = 12 S () :

 8.1. Size:220K  toshiba
tpc6106.pdfpdf_icon

TPC6104

TPC6106 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPC6106 Notebook PC Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 58 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 5.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -40

 8.2. Size:204K  toshiba
tpc6105.pdfpdf_icon

TPC6104

TPC6105 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPC6105 Notebook PC Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 72 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 4.7 S (typ.) Low leakage current : IDSS = -10 A (max) (VDS = -20 V) Enhancement mode : Vth = -0.5 to -1.2 V

 8.3. Size:192K  toshiba
tpc6107.pdfpdf_icon

TPC6104

TPC6107 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) TPC6107 Notebook PC Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 40 m (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 9.6 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 20 V)

Другие MOSFET... TPC6001 , TPC6003 , TPC6004 , TPC6005 , TPC6006-H , TPC6007-H , TPC6101 , TPC6102 , EMB04N03H , TPC6105 , TPC6106 , TPC6107 , TPC6108 , TPC6201 , TPC8001 , TPC8003 , TPC8004 .

History: IPL65R190E6

 

 
Back to Top

 


 
.