TPC8006-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPC8006-H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для TPC8006-H
TPC8006-H Datasheet (PDF)
tpc8004.pdf

TPC8004 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) TPC8004 Lithium Ion Battery Applications Unit: mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance : R = 37 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 6 S (typ.) fs Low leakage current
tpc8001.pdf

TPC8001 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSVI) TPC8001 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance : R = 15 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 11 S (typ.) fs Low leakage current
tpc8003.pdf

TPC8003 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSII) TPC8003 Lithium Ion Battery Applications Portable Equipment Applications Unit: mmNotebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance : R = 5.4 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance : |Y | = 21 S (typ.) fs Low leakage current
Другие MOSFET... TPC6105 , TPC6106 , TPC6107 , TPC6108 , TPC6201 , TPC8001 , TPC8003 , TPC8004 , IRFP064N , TPC8009-H , TPC8010-H , TPC8012-H , TPC8013-H , TPC8014 , TPC8016-H , TPC8017-H , TPC8018-H .
History: CS2N65A4HY | OSG55R108PZF | 2N6796U | IPP80N06S2-H5 | STD27N3LH5 | FS10SM-18A | BL10N40-D
History: CS2N65A4HY | OSG55R108PZF | 2N6796U | IPP80N06S2-H5 | STD27N3LH5 | FS10SM-18A | BL10N40-D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115